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APTM120U10SAG中文资料

APTM120U10SAG图片

APTM120U10SAG外观图

  • 大小:269.29KB
  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:Single switch Series & parallel diodes MOSFET Power Module
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:116A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 58A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 20mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:28900pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3290W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商设备封装:SP6
  • 包装:散装
  • 其它名称:APTM120U10SAGMIAPTM120U10SAGMI-ND

APTM120U10SAG供应商

更新时间:2022-12-31 21:56:13
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